يشترى 1N1189R مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N1189R
- رقم القطعة:
- 1N1189R
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17622 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.1N1189R.pdf2.1N1189R.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N1189R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N1189R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 35A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-5 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| اسماء اخرى: | 1N1189RGN |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 190°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 1N1189R |
| وصف موسع: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard, Reverse Polarity |
| وصف: | DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 35A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N1189R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N1188R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5 | تحقيق |
 |
1N1186 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | تحقيق |
 |
1N1184 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | تحقيق |
 |
1N1186AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 | تحقيق |
|
1N1188AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 | تحقيق |
 |
1N1184AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5 | تحقيق |
|
1N1186A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 | تحقيق |
|
1N1183 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB | تحقيق |
|
1N1184A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 | تحقيق |
|
1N1183A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB | تحقيق |
|
1N1187R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5 | تحقيق |
|
1N1189 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | تحقيق |
|
1N1183AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 | تحقيق |
|
1N1188A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 40A DO5 | تحقيق |
 |
1N1184R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5 | تحقيق |
|
1N1183R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 | تحقيق |
 |
1N1188 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | تحقيق |
 |
1N1186R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5 | تحقيق |
|
1N1187 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 35A DO5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog