يشترى 1N3296AR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N3296AR
- رقم القطعة:
- 1N3296AR
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12310 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.1N3296AR.pdf2.1N3296AR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N3296AR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N3296AR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 100A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-205AA (DO-8) |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-205AA, DO-8, Stud |
| اسماء اخرى: | 1N3296ARGN |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 200°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 1N3296AR |
| وصف موسع: | Diode Standard, Reverse Polarity 1200V (1.2kV) 100A Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard, Reverse Polarity |
| وصف: | DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 9mA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 100A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N3296AR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N3291AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 400V 100A DO205AA | تحقيق |
 |
R9G20211ASOO | Powerex Inc. | DIODE FAST REC R9G 1100A 200V | تحقيق |
|
R7S01016XX | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1KV 1600A DO200AA | تحقيق |
|
1N3293A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | تحقيق |
 |
NTS12100MFST1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN | تحقيق |
 |
MA3X70300L | Panasonic Electronic Components | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3 | تحقيق |
 |
US2JDF-13 | Diodes Incorporated | DIODE ULTRA FAST 600V 2A DFLAT | تحقيق |
|
1N3294A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | تحقيق |
|
1N3295AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA | تحقيق |
|
1N3291A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA | تحقيق |
|
1N3297AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA | تحقيق |
 |
1N5812 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | تحقيق |
|
1N3296A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205 | تحقيق |
|
1N3293AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 600V 100A DO205AA | تحقيق |
 |
SR108-TP | Micro Commercial Co | DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N3295A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205 | تحقيق |
|
1N3297A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205 | تحقيق |
|
1N3294AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 800V 100A DO205AA | تحقيق |
 |
RGF1J-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog