يشترى 1N4003T-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N4003T-G
- رقم القطعة:
- 1N4003T-G
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16050 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N4003T-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N4003T-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N4003T-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 1A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-41 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 1N4003T-G |
| وصف موسع: | Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N4003T-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N4003-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4003B-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4006T-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4004-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4007B-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4001-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4006-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4007T-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4006B-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4002-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4005T-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4004B-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4005B-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4001B-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4007-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4002B-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4002T-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N4005-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog