يشترى 1N4448-T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N4448-T
- رقم القطعة:
- 1N4448-T
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18306 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N4448-T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N4448-T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N4448-T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 100mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 75V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-35 |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 4ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 1N4448-T |
| وصف موسع: | Diode Standard 75V 150mA Through Hole DO-35 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 75V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 150mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N4448-T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N4448HWT-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523 | تحقيق |
 |
1N4448HWS-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 | تحقيق |
 |
1N4448W-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 | تحقيق |
|
1N4448HWS-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 | تحقيق |
 |
1N4448HLP-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN | تحقيق |
|
1N4448W-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 | تحقيق |
|
1N4448WSQ-7-F | Diodes Incorporated | DIODE FAST REC 75V 0.25A SOD323 | تحقيق |
 |
1N4448WSFQ-7 | Diodes Incorporated | DIODE FAST REC 75V 0.25A SOD323F | تحقيق |
|
1N4448WS-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 | تحقيق |
|
1N4448HWS-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323 | تحقيق |
|
1N4448WS-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 | تحقيق |
 |
1N4448WSF-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323F | تحقيق |
|
1N4448WQ-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog