يشترى 1N5401G-T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N5401G-T
- رقم القطعة:
- 1N5401G-T
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18989 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N5401G-T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N5401G-T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N5401G-T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 3A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 2µs |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-201AD, Axial |
| اسماء اخرى: | 1N5401G 1N5401GDITR 1N5401GT 1N5401GTR 1N5401GTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 1N5401G-T |
| وصف موسع: | Diode Standard 100V 3A Through Hole Axial |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N5401G-T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5404-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5406-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5406G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5400-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5407G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5408-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5400G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5408-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5401-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5407-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5401-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5404-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5402-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5402G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5400-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5407-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5406-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5408G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog