يشترى 1N5406-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N5406-G
- رقم القطعة:
- 1N5406-G
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13630 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N5406-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N5406-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N5406-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 3A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-27 (DO-201AD) |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | DO-201AD, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 1N5406-G |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-27 (DO-201AD) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N5406-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DFLS220L-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 20V 2A POWERDI123 | تحقيق |
 |
1N5402-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
SS15HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC | تحقيق |
 |
NSR0340P2T5G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923 | تحقيق |
 |
JANTXV1N6643 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | تحقيق |
 |
SK23TR | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB | تحقيق |
 |
SE15PB-E3/85A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO220AA | تحقيق |
|
1N5406T-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5400T-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
AU3PMHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A TO277 | تحقيق |
|
1N5407-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
1N3167 | Powerex Inc. | DIODE STUD MNT 240A 350V DO-9 | تحقيق |
|
1N5402T-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5408-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5400-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
MBR1045 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220-2 | تحقيق |
|
1N5404-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
NSVR1020MW2T1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323 | تحقيق |
|
1N5401-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog