1N5554US
1N5554US
رقم القطعة:
1N5554US
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
17757 Pieces
ورقة البيانات:
1N5554US.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N5554US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N5554US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N5554US مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.2V @ 9A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):1000V (1kV)
تجار الأجهزة حزمة:B, SQ-MELF
سرعة:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):2µs
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SQ-MELF, B
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:7 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N5554US
وصف موسع:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount B, SQ-MELF
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:1µA @ 1000V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):3A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات