العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > 1N5804
1N5804
1N5804
رقم القطعة:
1N5804
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
19686 Pieces
ورقة البيانات:
1N5804.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N5804 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N5804 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N5804 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:875mV @ 1A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):100V
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):25ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:A, Axial
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:7 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N5804
وصف موسع:Diode Standard 100V 1A Through Hole
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:1µA @ 100V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):1A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة ل1N5804

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
1N5807US Image 1N5807US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF تحقيق
1N5807 Image 1N5807 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL تحقيق
UF4002-G Image UF4002-G Comchip Technology DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 تحقيق
1N5806TR Image 1N5806TR Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL تحقيق
1N5802US Image 1N5802US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 1A D5A تحقيق
1N5809US Image 1N5809US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF تحقيق
B130L-13 Image B130L-13 Diodes Incorporated DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA تحقيق
MR756G Image MR756G ON Semiconductor DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON تحقيق
1N5809 Image 1N5809 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL تحقيق
MBRM560-13-F Image MBRM560-13-F Diodes Incorporated DIODE SCHOTTKY 60V 5A POWERMITE3 تحقيق
A399PD Powerex Inc. DIODE FAST 400A 1400V DO-200AA تحقيق
1N5806US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 1A D5A تحقيق
1N5804US Image 1N5804US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 1A D5A تحقيق
FSV1045V Image FSV1045V Fairchild/ON Semiconductor DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277-3 تحقيق
1N5802 Image 1N5802 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL تحقيق
1N5803 Image 1N5803 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL تحقيق
1N5808 Microsemi Corporation DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG تحقيق
1N5805 Image 1N5805 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL تحقيق
RA202825XX Powerex Inc. DIODE MODULE 2.8KV 2500A PWRDISC تحقيق
BAS20-HE3-08 Image BAS20-HE3-08 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 تحقيق

Latest الأخبار