يشترى 1N5821-T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N5821-T
- رقم القطعة:
- 1N5821-T
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12570 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N5821-T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N5821-T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N5821-T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 500mV @ 3A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-201AD |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-201AD, Axial |
| اسماء اخرى: | 1N5821DITR 1N5821T 1N5821TR 1N5821TR-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 1N5821-T |
| وصف موسع: | Diode Schottky 30V 3A Through Hole DO-201AD |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2mA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N5821-T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5821-B | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
1N5822-A | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5821-A | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
VBT2045BP-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AB | تحقيق |
|
1N5820-A | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
CURB203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
MMDL914T3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 | تحقيق |
 |
SJPB-H6V | Sanken | DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP | تحقيق |
|
UG3004-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
JAN1N3595AUS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA | تحقيق |
|
1N5822-B | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | تحقيق |
|
1N5820-B | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
DSA2-12A | IXYS | DIODE AVALANCHE 1200V 3.6A AXIAL | تحقيق |
|
CDBFN140-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323 | تحقيق |
 |
SBRT2M10LP-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 10V 2A 3DFN | تحقيق |
|
1N5822-T | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
70U120D | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | تحقيق |
|
1N5820-T | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog