1N6081US
رقم القطعة:
1N6081US
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
19886 Pieces
ورقة البيانات:
1N6081US.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6081US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6081US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N6081US مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.5V @ 37.7A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):150V
تجار الأجهزة حزمة:G-MELF (D-5C)
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):30ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SQ-MELF, G
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 155°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:7 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N6081US
وصف موسع:Diode Standard 150V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:10µA @ 150V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):2A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات