يشترى 1N6473US مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N6473US
- رقم القطعة:
- 1N6473US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TVS DIODE 24VWM 41.4VC GMELF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16609 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N6473US.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6473US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6473US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - عكس مأزق (الطباع): | 24V |
|---|---|
| الجهد - لقط (ماكس) @ إيب: | 41.4V |
| الجهد - انهيار (دقيقة): | 27V |
| قنوات أحادية الاتجاه: | 1 |
| اكتب: | Zener |
| تجار الأجهزة حزمة: | G-MELF (D-5C) |
| سلسلة: | - |
| حماية خط الطاقة: | No |
| السلطة - ذروة نبض: | 1500W (1.5kW) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, G |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 1N6473US |
| وصف: | TVS DIODE 24VWM 41.4VC GMELF |
| الحالي - ذروة نبض (10 / 1000μs): | 207A (8/20µs) |
| السعة @ التردد: | - |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N6473US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
5KP26-B | Littelfuse Inc. | TVS DIODE 26VWM 44.21VC P600 | تحقيق |
 |
1N6471US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 12VWM 22.6VC GMELF | تحقيق |
 |
1N647UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213 | تحقيق |
|
1N6471 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 12VWM 22.6VC GPKG AXL | تحقيق |
|
1N6476US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF | تحقيق |
|
1N6473 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 24VWM 41.4VC GPKG AXL | تحقيق |
|
1N6470US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6VWM 11VC GMELF | تحقيق |
 |
SMCJ6036AE3/TR13 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6VWM 11.3VC SMCJ | تحقيق |
 |
1KSMBJ62 | Littelfuse Inc. | TVS DIODE 50.2VWM 89VC SMT | تحقيق |
|
1N6474US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF | تحقيق |
 |
MSMCJLCE11AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB | تحقيق |
|
1N6476 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 51.6VWM GPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6472US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 15VWM 26.5VC GMELF | تحقيق |
|
1N6472 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 15VWM 26.5VC GPKG AXL | تحقيق |
|
1N6475US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF | تحقيق |
|
1N6475 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 40.3VWM GPKG AXIAL | تحقيق |
 |
1N647-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 | تحقيق |
|
1N6474 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6470 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog