1N8035-GA
1N8035-GA
رقم القطعة:
1N8035-GA
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
16826 Pieces
ورقة البيانات:
1N8035-GA.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N8035-GA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N8035-GA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N8035-GA مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.5V @ 15A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):650V
تجار الأجهزة حزمة:TO-276
سرعة:No Recovery Time > 500mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):0ns
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-276AA
اسماء اخرى:1242-1122
1N8035GA
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 250°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N8035-GA
وصف موسع:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276
نوع الصمام الثنائي:Silicon Carbide Schottky
وصف:DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:5µA @ 650V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):14.6A (DC)
السعة @ الواقع الافتراضي، F:1107pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات