2N3819 - Fairchild/ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف 2N3819 - BYCHIPS

2N3819

رقم القطعة:: 2N3819

الصانع:: Fairchild/ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 25V 50MA TO92

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13851 Pieces

ورقة البيانات:: 2N3819.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2N3819 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2N3819 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 2N3819 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	-
الجهد - تقييمه:	25V
نوع الترانزستور:	N-Channel JFET
تجار الأجهزة حزمة:	TO-92-3
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	2N3819
ربح:	-
تردد:	-
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3
وصف:	JFET N-CH 25V 50MA TO92
التصويت الحالي:	50mA
الحالي - اختبار:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل2N3819

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	MRF6V4300NR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 450MHZ TO-270-4	تحقيق
	PD57070S-E	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10	تحقيق
	BLF10M6LS200U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B	تحقيق
	2N3819_D27Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 50MA TO92	تحقيق
	BLF8G22LS-220U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B	تحقيق
	ATF-36163-TR1G	Broadcom Limited	FET RF 3V 4GHZ SOT-363	تحقيق
	PTFA191001EV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2	تحقيق
	2N3819_D74Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 50MA TO92	تحقيق
	BLF3G22-30,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A	تحقيق
	2N5486RLRP	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA TO92	تحقيق
	BLF7G22L-130,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A	تحقيق

Latest الأخبار