يشترى 2N6661-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2N6661-E3
- رقم القطعة:
- 2N6661-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13852 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2N6661-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2N6661-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2N6661-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-39 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 2N6661-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 90V |
| وصف: | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 860mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N6661-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N6661JTXV02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
2N6660JTXV02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | تحقيق |
|
2N6660JTXL02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | تحقيق |
|
2N6661JTXL02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
2N6661JTX02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
2N6660 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | تحقيق |
|
2N6661JTXP02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
2N6661JTVP02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
2N6661 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
2N6661-2 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
2N6660JTVP02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | تحقيق |
|
2N6660-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 | تحقيق |
|
2N6660JTXP02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | تحقيق |
|
2N6660-2 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | تحقيق |
|
2N6661JAN02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog