يشترى 2N7002E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2N7002E
- رقم القطعة:
- 2N7002E
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15464 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2N7002E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2N7002E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2N7002E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 2N7002E |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 21pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 240mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N7002E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | تحقيق |
|
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | تحقيق |
|
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | تحقيق |
 |
SSM3K310T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS | تحقيق |
 |
IRFB7730PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A TO220 | تحقيق |
 |
SI7403BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 | تحقيق |
|
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IXTP50N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 | تحقيق |
|
2N7002K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | تحقيق |
 |
FDP18N20F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | تحقيق |
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | تحقيق |
 |
STP9NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220 | تحقيق |
|
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog