2SC5706-P-E
2SC5706-P-E
رقم القطعة:
2SC5706-P-E
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN 100V 5A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17542 Pieces
ورقة البيانات:
2SC5706-P-E.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SC5706-P-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SC5706-P-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 2SC5706-P-E مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):100V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:240mV @ 100mA, 2A
نوع الترانزستور:NPN
تجار الأجهزة حزمة:TP
سلسلة:-
السلطة - ماكس:800mW
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:2SC5706-P-E
تردد - تحول:400MHz
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
وصف:TRANS NPN 100V 5A
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:200 @ 500mA, 2V
الحالي - جامع القطع (ماكس):1µA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):5A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات