يشترى 2SK2103T100 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2SK2103T100
- رقم القطعة:
- 2SK2103T100
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12898 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2SK2103T100.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SK2103T100 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SK2103T100 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | MPT3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 400 mOhm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | 2SK2103T100-ND 2SK2103T100TR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 2SK2103T100 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 230pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SK2103T100
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
IXTH80N20L | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 | تحقيق |
|
SI1417EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6 | تحقيق |
 |
IXFR70N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IRFZ30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTX24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | تحقيق |
 |
IRFR9120NTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | تحقيق |
 |
IXTK160N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 | تحقيق |
 |
CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 50A 8SON | تحقيق |
 |
IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | تحقيق |
 |
FQA11N90C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | تحقيق |
 |
SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | تحقيق |
 |
SI5404BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 | تحقيق |
 |
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | تحقيق |
 |
TPH14006NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV | تحقيق |
 |
AUIRF7416QTR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC | تحقيق |
 |
SIHG16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC | تحقيق |
 |
APT42F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 | تحقيق |
 |
STW12N120K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 | تحقيق |
 |
BS108,126 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers