2SK3670,F(J - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة 2SK3670,F(J

2SK3670,F(J

رقم القطعة:: 2SK3670,F(J

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: MOSFET N-CH

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16336 Pieces

ورقة البيانات:: 2SK3670,F(J.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SK3670,F(J ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SK3670,F(J عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 2SK3670,F(J مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

تجار الأجهزة حزمة:	TO-92MOD
سلسلة:	*
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
اسماء اخرى:	2SK3670F(J 2SK3670FJ
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	2SK3670,F(J
وصف موسع:	Through Hole TO-92MOD
وصف:	MOSFET N-CH
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل2SK3670,F(J

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
2SK3670,F(M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	تحقيق
STL7N10F7	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT	تحقيق
DMN3030LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8	تحقيق
NDD04N60Z-1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 4A IPAK	تحقيق
2SK3670(T6CANO,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	تحقيق
FQD5N50CTM_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 4A DPAK	تحقيق
SIE808DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK	تحقيق
2SK3670(F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	تحقيق
IPB070N06L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 80A TO-263	تحقيق
2SK3670(T6CANO,A,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH	تحقيق
SFP9Z24	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-220	تحقيق
2SK3662(F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار