يشترى 2SK3816-DL-E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2SK3816-DL-E
- رقم القطعة:
- 2SK3816-DL-E
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15812 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2SK3816-DL-E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SK3816-DL-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SK3816-DL-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.6V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMP-FD |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.65W (Ta), 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 2SK3816-DL-E |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1780pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount SMP-FD |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SK3816-DL-E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK3816-DL-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 40A | تحقيق |
 |
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | تحقيق |
 |
2SK3821-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD | تحقيق |
 |
2SK3820-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD | تحقيق |
 |
2SK3823 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 | تحقيق |
|
2SK3816-DL-1EX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
2SK3827 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | تحقيق |
|
2SK3821-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A SMP | تحقيق |
|
2SK3817-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD | تحقيق |
 |
IRF6611TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET | تحقيق |
 |
R6025ANZC8 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | تحقيق |
|
2SK3824 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 | تحقيق |
|
2SK3826 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 | تحقيق |
|
2SK3820-DL-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 26A | تحقيق |
 |
IRFR9110TRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog