يشترى 2W005M مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2W005M
- رقم القطعة:
- 2W005M
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE BRIDGE 50V 2A WOM
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12254 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.2W005M.pdf2.2W005M.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2W005M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2W005M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 50V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 2A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | WOM |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-Circular, WOM |
| اسماء اخرى: | 2W005MGN |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 2W005M |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole WOM |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | DIODE BRIDGE 50V 2A WOM |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2W005M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GBU4M-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT GPP 4A 1000V GBU | تحقيق |
 |
DF06-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 600V 1A DF | تحقيق |
 |
APT100DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | تحقيق |
 |
VUO55-16NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 58A 1600V PWS-B | تحقيق |
|
VBO36-14NO8 | IXYS | RECT BRIDGE 30A 1400V FO-B | تحقيق |
 |
DF10S1 | Fairchild/ON Semiconductor | BRIDGE RECT 1A 1KV 4SDIP | تحقيق |
 |
MSD50-18 | Microsemi Corporation | MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M1 | تحقيق |
|
VUO160-18NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 1800V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
KBPC35010T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 35A KBPC-T/W | تحقيق |
 |
VUO80-16NO1 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 82A 1600V V1-A | تحقيق |
 |
KBP02M-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1.5A 200V KBPM | تحقيق |
 |
BR32 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog