يشترى A2I08H040NR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
A2I08H040NR1
- رقم القطعة:
- A2I08H040NR1
- وصف:
- IC RF LDMOS AMP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12468 Pieces
- ورقة البيانات:
- A2I08H040NR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل A2I08H040NR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك A2I08H040NR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270WB-15 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 9W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-15 Variant, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | 935316301528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | A2I08H040NR1 |
| ربح: | 30.7dB |
| تردد: | 920MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WB-15 |
| وصف: | IC RF LDMOS AMP |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA2I08H040NR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | تحقيق |
 |
MRFE6S9130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
PTFA081501E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | تحقيق |
 |
2N5951 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 13MA TO92 | تحقيق |
|
MRF8S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | تحقيق |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF7G27L-75P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | تحقيق |
 |
A2I08H040GNR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | تحقيق |
|
MRF7S18125AHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780 | تحقيق |
 |
MRFE6S9200HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
|
BLL6H1214LS-250,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog