يشترى A2I20H060GNR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
A2I20H060GNR1
- رقم القطعة:
- A2I20H060GNR1
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12709 Pieces
- ورقة البيانات:
- A2I20H060GNR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل A2I20H060GNR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك A2I20H060GNR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270WBG-15 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 12W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-14 Variant, Gull Wing |
| اسماء اخرى: | 935316306528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | A2I20H060GNR1 |
| ربح: | 28.9dB |
| تردد: | 1.84GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 24mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WBG-15 |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 24mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA2I20H060GNR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
A2I20H060NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLS6G2731S-130,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 | تحقيق |
 |
BLS7G2729LS-350P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B | تحقيق |
 |
BF245A | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 100MA TO92 | تحقيق |
 |
PTFA092201E V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
BLF188XRSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B | تحقيق |
 |
PTFA220121MV4XUMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 10W SON10 | تحقيق |
 |
AFT21H350W04GSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ | تحقيق |
 |
MRF6V4300NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 | تحقيق |
|
MRF19030LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S | تحقيق |
 |
BLF6G22LS-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog