يشترى A2I25D025GNR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
A2I25D025GNR1
- رقم القطعة:
- A2I25D025GNR1
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13674 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.A2I25D025GNR1.pdf2.A2I25D025GNR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل A2I25D025GNR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك A2I25D025GNR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270WBG-17 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 3.2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
| اسماء اخرى: | 935323756528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | A2I25D025GNR1 |
| ربح: | 31.9dB |
| تردد: | 2.69GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 59mA 2.69GHz 31.9dB 3.2W TO-270WBG-17 |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 59mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA2I25D025GNR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
A2I25H060NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | تحقيق |
|
A2I25D025NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF9030NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO272-2 | تحقيق |
 |
BLF7G20LS-140P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
|
A2I25H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
PTVA120251EAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF6S21050LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | تحقيق |
 |
MRF18090AR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 | تحقيق |
|
MRF5S4140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF8S18120HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S | تحقيق |
|
ON5448,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 64QFP | تحقيق |
 |
BLF988,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF6G27-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
 |
BLM7G22S-60PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
MRF19045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S | تحقيق |
 |
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog