يشترى ACURN105-HF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ACURN105-HF
- رقم القطعة:
- ACURN105-HF
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13987 Pieces
- ورقة البيانات:
- ACURN105-HF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ACURN105-HF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ACURN105-HF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 1A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1000V (1kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1206/SOD-123 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 75ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2-SMD, No Lead |
| اسماء اخرى: | 641-1645-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ACURN105-HF |
| وصف موسع: | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount 1206/SOD-123 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لACURN105-HF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SD175SC200A.T | SMC Diode Solutions | PIV 200V IO 30A CHIP SIZE 175MIL | تحقيق |
 |
1PS79SB70,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD523 | تحقيق |
 |
SS5P3-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 5A TO277A | تحقيق |
 |
RGP10G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | تحقيق |
 |
ACURN102-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 | تحقيق |
|
ACURN104-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 | تحقيق |
|
ACURN101-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 | تحقيق |
 |
UGB12HT-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB | تحقيق |
 |
NTS1045MFST3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN | تحقيق |
|
ACURN103-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 | تحقيق |
 |
8EWS08STR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK | تحقيق |
 |
VS-SD2000C10L | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 1KV 2100A DO200AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog