يشترى AFT09MS031GNR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT09MS031GNR1
- رقم القطعة:
- AFT09MS031GNR1
- وصف:
- FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17617 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT09MS031GNR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT09MS031GNR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT09MS031GNR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 13.6V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 40V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270-2 GULL |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 31W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-2 Gull Wing |
| اسماء اخرى: | 935314738528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT09MS031GNR1 |
| ربح: | 17.2dB |
| تردد: | 870MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 500mA 870MHz 17.2dB 31W TO-270-2 GULL |
| وصف: | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT09MS031GNR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT09MP055NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | تحقيق |
 |
AFT09MS031NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
AFT09MP055GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | تحقيق |
 |
AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | تحقيق |
 |
AFT09S200W02GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | تحقيق |
 |
BLF6G22LS-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
MD7P19130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4 | تحقيق |
|
AFT09MS015NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ PLD | تحقيق |
|
AFT09S282NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ OM-780-2 | تحقيق |
|
MRF7S38040HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S | تحقيق |
|
AFT09H310-03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S | تحقيق |
|
AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD | تحقيق |
|
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT09H310-04GSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS | تحقيق |
|
AFT09S200W02NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog