يشترى AFV121KGSR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFV121KGSR5
- رقم القطعة:
- AFV121KGSR5
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18319 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFV121KGSR5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFV121KGSR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFV121KGSR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 112V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-1230-4S Gull Wing |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1000W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-1230-4S GW |
| اسماء اخرى: | 935313048178 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFV121KGSR5 |
| ربح: | 19.6dB |
| تردد: | 960MHz ~ 1.22GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4S Gull Wing |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFV121KGSR5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA211801EV5T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | تحقيق |
 |
BLF6G21-10G,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | تحقيق |
 |
AFV121KHSR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF7S19170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | تحقيق |
 |
PTVA120501EAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36265-2 | تحقيق |
|
PXFC192207SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
MRF6S9130HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780S | تحقيق |
 |
BLA6H0912L-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
AFV121KHR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | تحقيق |
|
MRF7S24250NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 250W 32V | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog