يشترى ALD111933PAL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ALD111933PAL
- رقم القطعة:
- ALD111933PAL
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13059 Pieces
- ورقة البيانات:
- ALD111933PAL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ALD111933PAL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ALD111933PAL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.35V @ 1µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-PDIP |
| سلسلة: | EPAD® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 500 Ohm @ 5.9V |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | 1014-1051 |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ALD111933PAL |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2.5pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 10.6V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لALD111933PAL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
|
ALD1110ESAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC | تحقيق |
|
ALD111910SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 8SOIC | تحقيق |
|
ALD1117SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
 |
ALD1115PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
|
ALD111933MAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP | تحقيق |
|
ALD111910MAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 8MSOP | تحقيق |
|
ALD1116SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
|
ALD1116PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
|
ALD1117PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
|
ALD1110EPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP | تحقيق |
|
ALD111910PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 8DIP | تحقيق |
|
ALD1115SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog