يشترى ALD212900ASAL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ALD212900ASAL
- رقم القطعة:
- ALD212900ASAL
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18590 Pieces
- ورقة البيانات:
- ALD212900ASAL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ALD212900ASAL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ALD212900ASAL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 10mV @ 20µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | EPAD®, Zero Threshold™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 14 Ohm |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 1014-1211 |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ALD212900ASAL |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 30pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 10.6V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لALD212900ASAL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD212902SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | تحقيق |
 |
ALD212908APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
|
ALD212900PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
|
ALD212908SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | تحقيق |
|
ALD212908PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
|
ALD212902PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
|
ALD212904SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | تحقيق |
|
ALD212900APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
|
ALD212904PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
|
ALD212908ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | تحقيق |
|
ALD212900SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog