يشترى AOI1N60 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AOI1N60
- رقم القطعة:
- AOI1N60
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15808 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.AOI1N60.pdf2.AOI1N60.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AOI1N60 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AOI1N60 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251A |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9 Ohm @ 650mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 45W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| درجة حرارة التشغيل: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AOI1N60 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 160pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAOI1N60
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NDB7051 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK | تحقيق |
 |
STF10N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 8.4A TO-220FP | تحقيق |
 |
BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
IXTH50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | تحقيق |
 |
AOI1N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A | تحقيق |
 |
DMN2005UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8 | تحقيق |
|
DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | تحقيق |
 |
IRF7834TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BUK9237-55A/C1,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V DPAK | تحقيق |
|
STF130N10F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220FP | تحقيق |
 |
IPC313N10N3RX7SA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
 |
CSD23203W | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | تحقيق |
|
AOB256L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 150V 3A TO263 | تحقيق |
|
CSD19506KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V TO-220-3 | تحقيق |
 |
IXFP7N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 | تحقيق |
 |
IRFP15N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AC | تحقيق |
 |
SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF3707ZCL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 | تحقيق |
 |
IPD65R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog