يشترى APT25GN120B2DQ2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT25GN120B2DQ2G
- رقم القطعة:
- APT25GN120B2DQ2G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 67A 272W TMAX
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12988 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.APT25GN120B2DQ2G.pdf2.APT25GN120B2DQ2G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT25GN120B2DQ2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT25GN120B2DQ2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 25A |
| اختبار حالة: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 22ns/280ns |
| تحويل الطاقة: | 2.15µJ (off) |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 272W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| اسماء اخرى: | APT25GN120B2DQ2GMI APT25GN120B2DQ2GMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT25GN120B2DQ2G |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT, Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 155nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole |
| وصف: | IGBT 1200V 67A 272W TMAX |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 75A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 67A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT25GN120B2DQ2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT25GN120SG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 67A 272W D3PAK | تحقيق |
 |
APT25GF120JCU2 | Microsemi Corporation | MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 | تحقيق |
 |
APT25GT120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | تحقيق |
|
APT25GR120SSCD10 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | تحقيق |
 |
APT25SM120B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT25GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 67A 272W TO247 | تحقيق |
|
APT25SM120S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT25GLQ120JCU2 | Microsemi Corporation | PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 | تحقيق |
|
APT25GP90BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 900V 72A 417W TO247 | تحقيق |
|
APT25GP90BG | Microsemi Corporation | IGBT 900V 72A 417W TO247 | تحقيق |
|
APT25GR120B | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | تحقيق |
|
APT25GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | تحقيق |
|
APT25M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | تحقيق |
|
APT25GR120S | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog