APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
رقم القطعة:
APT35GP120B2DQ2G
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13756 Pieces
ورقة البيانات:
1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT35GP120B2DQ2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT35GP120B2DQ2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APT35GP120B2DQ2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):1200V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:3.9V @ 15V, 35A
اختبار حالة:600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:16ns/95ns
تحويل الطاقة:750µJ (on), 680µJ (off)
سلسلة:POWER MOS 7®
السلطة - ماكس:543W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3 Variant
اسماء اخرى:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:APT35GP120B2DQ2G
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:PT
بوابة المسؤول:150nC
وصف موسع:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
وصف:IGBT 1200V 96A 543W TMAX
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):140A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):96A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات