يشترى APT40GR120B2SCD10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT40GR120B2SCD10
- رقم القطعة:
- APT40GR120B2SCD10
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 88A 500W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13194 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT40GR120B2SCD10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT40GR120B2SCD10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT40GR120B2SCD10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.2V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة: | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 20ns/166ns |
| تحويل الطاقة: | 929µJ (on), 1070µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 500W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT40GR120B2SCD10 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 210nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247 |
| وصف: | IGBT 1200V 88A 500W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 160A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 88A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT40GR120B2SCD10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT40GR120B | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 88A 500W TO247 | تحقيق |
 |
APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | تحقيق |
 |
APT40GR120S | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 88A 500W D3PAK | تحقيق |
 |
APT40DS04HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 45V SOT-227 | تحقيق |
|
APT40GR120B2D30 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 88A 500W TO247 | تحقيق |
|
APT40M75JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP | تحقيق |
 |
APT40GP60B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 543W TMAX | تحقيق |
|
APT40GLQ120JCU2 | Microsemi Corporation | POWER MOD 1200V 80A SOT227 | تحقيق |
|
APT40N60JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 | تحقيق |
|
APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | تحقيق |
|
APT40M70JVFR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog