يشترى APT70GR120B2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT70GR120B2
- رقم القطعة:
- APT70GR120B2
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 160A 961W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19789 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT70GR120B2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT70GR120B2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT70GR120B2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.2V @ 15V, 70A |
| اختبار حالة: | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 33ns/278ns |
| تحويل الطاقة: | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 961W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT70GR120B2 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 544nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247 |
| وصف: | IGBT 1200V 160A 961W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 280A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 160A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT70GR120B2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | تحقيق |
 |
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | تحقيق |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
 |
STGWT30H60DFB | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO3PL | تحقيق |
|
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | تحقيق |
 |
FGH40N60SFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 290W TO247 | تحقيق |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | تحقيق |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog