يشترى APT77N60BC6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT77N60BC6
- رقم القطعة:
- APT77N60BC6
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16101 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT77N60BC6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT77N60BC6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT77N60BC6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.6V @ 2.96mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 41 mOhm @ 44.4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 481W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT77N60BC6 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 260nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Super Junction |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 77A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 77A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT77N60BC6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4115GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB | تحقيق |
 |
IRLR2705TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK | تحقيق |
 |
IXFL39N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 | تحقيق |
 |
APT77N60JC3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT77N60SC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | تحقيق |
 |
SPP08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB | تحقيق |
 |
AOTF12T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO-220F | تحقيق |
 |
ZXMN7A11KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK | تحقيق |
 |
FCB20N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
 |
ZVN0545A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3 | تحقيق |
 |
SFT1342-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | تحقيق |
|
2N7000G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | تحقيق |
 |
RZQ045P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 | تحقيق |
 |
PMV65UNER | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V TO-236AB | تحقيق |
 |
BUK7526-100B,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB | تحقيق |
 |
CSD25484F4 | Texas Instruments | P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog