يشترى APT80SM120J مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT80SM120J
- رقم القطعة:
- APT80SM120J
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- POWER MOSFET - SIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15216 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT80SM120J.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT80SM120J ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT80SM120J عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 273W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT80SM120J |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 235nC @ 20V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | POWER MOSFET - SIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT80SM120J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT8014JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT80GA60LD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 143A 625W TO264 | تحقيق |
|
APT8020JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT8018JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP | تحقيق |
|
APT80M60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 | تحقيق |
|
APT80F60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 | تحقيق |
|
APT80SM120B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT80SM120S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT8024LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 | تحقيق |
 |
APT80GP60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 151A 462W SOT227 | تحقيق |
 |
APT80GA60B | Microsemi Corporation | IGBT 600V 143A 625W TO247 | تحقيق |
|
APT8024JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 | تحقيق |
|
APT8020LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 | تحقيق |
|
APT80GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 145A 625W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog