APT9M100B
APT9M100B
رقم القطعة:
APT9M100B
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14211 Pieces
ورقة البيانات:
1.APT9M100B.pdf2.APT9M100B.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT9M100B ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT9M100B عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APT9M100B مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 [B]
سلسلة:POWER MOS 8™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 Ohm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):335W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:APT9M100B
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2605pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:80nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 9A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات