APTC60DAM35T1G
رقم القطعة:
APTC60DAM35T1G
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19024 Pieces
ورقة البيانات:
1.APTC60DAM35T1G.pdf2.APTC60DAM35T1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APTC60DAM35T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APTC60DAM35T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APTC60DAM35T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.9V @ 5.4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SP1
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:35 mOhm @ 72A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):416W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SP1
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:APTC60DAM35T1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:14000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:518nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 72A 416W (Tc) Chassis Mount SP1
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 72A SP1
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:72A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات