APTM10HM19FT3G
APTM10HM19FT3G
رقم القطعة:
APTM10HM19FT3G
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15053 Pieces
ورقة البيانات:
1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APTM10HM19FT3G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APTM10HM19FT3G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APTM10HM19FT3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
تجار الأجهزة حزمة:SP3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:21 mOhm @ 35A, 10V
السلطة - ماكس:208W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SP3
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:APTM10HM19FT3G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5100pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:200nC @ 10V
نوع FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:70A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات