APTM120SK56T1G
رقم القطعة:
APTM120SK56T1G
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13626 Pieces
ورقة البيانات:
1.APTM120SK56T1G.pdf2.APTM120SK56T1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APTM120SK56T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APTM120SK56T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APTM120SK56T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 2.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SP1
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:672 mOhm @ 14A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):390W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SP1
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:APTM120SK56T1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:7736pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:300nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 18A 390W (Tc) Chassis Mount SP1
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات