يشترى B80C800DM-E3/45 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
B80C800DM-E3/45
- رقم القطعة:
- B80C800DM-E3/45
- وصف:
- DIODE BRIDGE 0.9A 125V 6DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12034 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.B80C800DM-E3/45.pdf2.B80C800DM-E3/45.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل B80C800DM-E3/45 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك B80C800DM-E3/45 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 125V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 900mA |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFM |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | B80C800DM-E3/45-ND B80C800DM-E3/45GI |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | B80C800DM-E3/45 |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 125V 900mA Through Hole DFM |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | DIODE BRIDGE 0.9A 125V 6DIP |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 125V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 900mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لB80C800DM-E3/45
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GHXS045A120S-D1 | Global Power Technologies Group | MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 | تحقيق |
 |
B80C800G-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 0.9A 125V WOG | تحقيق |
 |
DF202S-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF | تحقيق |
 |
CBR1F-040 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 1.5A 400V A CASE | تحقيق |
 |
GBJ610 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 1000V 6A GBJ | تحقيق |
 |
DB152G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 1.5A DB | تحقيق |
 |
APTDR70X1601G | Microsemi Corporation | RECT DIODE MODULE 3PH 1600V SP1 | تحقيق |
 |
MB102 | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 10A 200V BR-6 | تحقيق |
|
KBU1006 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 10A KBU | تحقيق |
 |
VBO30-08NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 35A 800V PWS-A | تحقيق |
 |
FUE30-12N1 | IXYS | RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
CBRSDSH2-60 TR13 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 2A 60V 4SMDIP | تحقيق |
|
VBO55-12NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 1200V 55A FO-T-A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers