يشترى BAT5402LRHE6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BAT5402LRHE6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BAT5402LRHE6327XTSA1
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TSLP-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17627 Pieces
- ورقة البيانات:
- BAT5402LRHE6327XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BAT5402LRHE6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BAT5402LRHE6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 800mV @ 100mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSLP-2 |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 5ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOD-882 |
| اسماء اخرى: | BAT 54-02LRH E6327 BAT 54-02LRH E6327-ND SP000234099 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BAT5402LRHE6327XTSA1 |
| وصف موسع: | Diode Schottky 30V 200mA (DC) Surface Mount PG-TSLP-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TSLP-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2µA @ 25V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 200mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBAT5402LRHE6327XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BAT5402VH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC79-2 | تحقيق |
 |
BAT5406E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23 | تحقيق |
 |
BAT5405E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23 | تحقيق |
 |
BAT5406WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 | تحقيق |
 |
BAT5403WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323 | تحقيق |
 |
BAV21WS-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | تحقيق |
|
BAT5404WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 | تحقيق |
|
BAT54WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323 | تحقيق |
|
BAT5405WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 | تحقيق |
|
BAT5405WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 | تحقيق |
 |
S40VR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1.4KV 40A DO5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog