BD677G
BD677G
رقم القطعة:
BD677G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16668 Pieces
ورقة البيانات:
BD677G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BD677G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BD677G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BD677G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):60V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:2.5V @ 30mA, 1.5A
نوع الترانزستور:NPN - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:TO-225AA
سلسلة:-
السلطة - ماكس:40W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-225AA, TO-126-3
اسماء اخرى:BD677G-ND
BD677GOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:BD677G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
وصف:TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:750 @ 1.5A, 3V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):4A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات