يشترى BF1206,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF1206,115
- رقم القطعة:
- BF1206,115
- وصف:
- FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16122 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF1206,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF1206,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF1206,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 6V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSSOP |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | 934057297115 BF1206 BF1206-ND |
| الضوضاء الشكل: | 1.3dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF1206,115 |
| ربح: | 30dB |
| تردد: | 400MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 18mA 400MHz 30dB 6-TSSOP |
| وصف: | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | 18mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF1206,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PXAC261202FCV1S250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 2CH 65V 2.61GHZ | تحقيق |
 |
BF1207,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
BLF7G22LS-250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B | تحقيق |
 |
BF1202,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B | تحقيق |
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | تحقيق |
|
BF1201R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R | تحقيق |
 |
BF1201WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | تحقيق |
|
BF1208D,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 | تحقيق |
|
BF1202WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | تحقيق |
|
PTFB213004FV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
BF1205,135 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
BF1202R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R | تحقيق |
|
BF1202WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP | تحقيق |
|
BF1205,115 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1201,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B | تحقيق |
|
BF1204,115 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1203,115 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1204,135 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1201WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | تحقيق |
|
BF1205C,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog