يشترى BF1212,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF1212,215
- رقم القطعة:
- BF1212,215
- وصف:
- MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16757 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF1212,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF1212,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF1212,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 6V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-143B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-253-4, TO-253AA |
| اسماء اخرى: | 568-1962-2 934057517215 BF1212 |
| الضوضاء الشكل: | 0.9dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF1212,215 |
| ربح: | 30dB |
| تردد: | 400MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30dB SOT-143B |
| وصف: | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | 12mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF1212,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1211WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | تحقيق |
 |
BF886H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 | تحقيق |
 |
BLS7G3135LS-200U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B | تحقيق |
|
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | تحقيق |
 |
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1210,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
BF1211R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | تحقيق |
|
MRF5S4140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780S | تحقيق |
|
BF1212WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | تحقيق |
|
BF1218,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
ATF-501P8-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC | تحقيق |
 |
PTFA181001HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 | تحقيق |
 |
BLC9G20LS-240PVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT12753 | تحقيق |
|
BF1214,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1212R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | تحقيق |
|
BF1216,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
MRF6S27050HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.62GHZ NI-780 | تحقيق |
|
BF1211,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog