يشترى BF545B,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF545B,215
- رقم القطعة:
- BF545B,215
- وصف:
- JFET N-CH 30V 15MA SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14272 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF545B,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF545B,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF545B,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 30V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel JFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-236AB (SOT23) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | 568-6164-2 933912910215 BF545B,215-ND BF545B215 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BF545B,215 |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel JFET TO-236AB (SOT23) |
| وصف: | JFET N-CH 30V 15MA SOT23 |
| التصويت الحالي: | 15mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF545B,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF545A,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23 | تحقيق |
 |
PTAC210802FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
2N5486_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 20MA TO92 | تحقيق |
 |
PD85015-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | تحقيق |
 |
CE3514M4 | CEL | RF FET 4V 12GHZ SOT343 | تحقيق |
|
BF545C,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 25MA SOT23 | تحقيق |
 |
MRF9085LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780S | تحقيق |
 |
AFV141KHR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
2N5485_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 10MA TO92 | تحقيق |
|
MRF6S23100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
BLF188XRU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | تحقيق |
|
PTVA093002NDV1R5XUMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog