يشترى BG3430RH6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BG3430RH6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BG3430RH6327XTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18927 Pieces
- ورقة البيانات:
- BG3430RH6327XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BG3430RH6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BG3430RH6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 8V |
| نوع الترانزستور: | 2 N-Channel (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT363-6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | BG 3430R H6327 BG 3430R H6327-ND SP000753498 |
| الضوضاء الشكل: | 1.3dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BG3430RH6327XTSA1 |
| ربح: | 25dB |
| تردد: | 800MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6 |
| وصف: | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| التصويت الحالي: | 25mA |
| الحالي - اختبار: | 14mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBG3430RH6327XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BG3430RE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 | تحقيق |
 |
BF862,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 20V 25MA SOT23 | تحقيق |
 |
BF1201R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R | تحقيق |
|
BF1101R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R | تحقيق |
 |
PTFA191001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 | تحقيق |
 |
VMMK-1218-TR1G | Broadcom Limited | FET RF 5V 10GHZ 0402 | تحقيق |
 |
NE552R679A-T1A-A | CEL | FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG | تحقيق |
 |
BLF6G22L-40BN,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A | تحقيق |
|
PTFA181001FV4R250FTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 | تحقيق |
 |
MRF8P23080HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4 | تحقيق |
|
BF996S,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B | تحقيق |
 |
MRF9210R5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ 860C3 | تحقيق |
 |
MRFE6VP6300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
MRF7S38075HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
SD2903 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229 | تحقيق |
|
BF1205C,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
BLF6G10L-260PBM:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog