BGB 540 E6327 - Infineon Technologies - الترانزستورات - القطبين (بجت) - رف BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

رقم القطعة:: BGB 540 E6327

الصانع:: International Rectifier (Infineon Technologies)

وصف:: TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 12994 Pieces

ورقة البيانات:: BGB 540 E6327.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BGB 540 E6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BGB 540 E6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BGB 540 E6327 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	3.5V
نوع الترانزستور:	NPN
تجار الأجهزة حزمة:	PG-SOT343-4
سلسلة:	-
السلطة - ماكس:	120mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SC-82A, SOT-343
اسماء اخرى:	BGB540E6327XT SP000013194
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
الضوضاء الشكل (ديسيبل الطباع @ و):	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BGB 540 E6327
ربح:	16dB ~ 17.5dB
تردد - تحول:	-
وصف موسع:	RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
وصف:	TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	-
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	30mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBGB 540 E6327

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
UTV200	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 80W 4.5A 55JV2	تحقيق
AT-41535G	Broadcom Limited	TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X	تحقيق
AT-30511-TR2G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143	تحقيق
MS1512	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M122	تحقيق
2SC5006-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار