يشترى BLF10H6600PU مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF10H6600PU
- رقم القطعة:
- BLF10H6600PU
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15529 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF10H6600PU.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF10H6600PU ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF10H6600PU عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT539A |
| اسماء اخرى: | 934067647112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF10H6600PU |
| ربح: | 20.8dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 860MHz 20.8dB 250W SOT539A |
| وصف: | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF10H6600PU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF10M6LS135U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF1043,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF1046,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF10M6135U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF10M6200U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | تحقيق |
 |
MRF6S18060NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 | تحقيق |
|
BLF10M6160U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | تحقيق |
 |
MRF6S21100MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4 | تحقيق |
|
BLF1043,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF7G20L-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLC2425M8LS300PZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 | تحقيق |
 |
2735GN-35M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP | تحقيق |
|
BLF10M6LS200U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF10M6LS160U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF1046,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog