العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF3G21-6,112
BLF3G21-6,112
BLF3G21-6,112
رقم القطعة:
BLF3G21-6,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15019 Pieces
ورقة البيانات:
BLF3G21-6,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF3G21-6,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF3G21-6,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF3G21-6,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:26V
الجهد - تقييمه:65V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:2-CDIP
سلسلة:-
مخرج قوي:6W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT-538A
اسماء اخرى:568-2398
934058477112
BLF3G21-6
BLF3G21-6-ND
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BLF3G21-6,112
ربح:15.5dB
تردد:2GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 26V 90mA 2GHz 15.5dB 6W 2-CDIP
وصف:RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A
التصويت الحالي:2.3A
الحالي - اختبار:90mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF3G21-6,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLF3G21-6,135 Image BLF3G21-6,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A تحقيق
BLF3G21-30,112 Image BLF3G21-30,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C تحقيق
MRF8S18260HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 تحقيق
BF1100R,235 Image BF1100R,235 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 تحقيق
PD54003-E Image PD54003-E STMicroelectronics FET RF 25V 500MHZ PWRSO10 تحقيق
BLF3G22-30,112 Image BLF3G22-30,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A تحقيق
BLF3G22-30,135 Image BLF3G22-30,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A تحقيق
ON5174,118 Image ON5174,118 NXP USA Inc. MOSFET RF SOT426 D2PAK تحقيق
BF904AWR,115 Image BF904AWR,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143R تحقيق
PTFA081501E1V4XWSA1 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS H-36248-2 تحقيق
MRF5P21240HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 تحقيق
BLP05H6110XRGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 تحقيق
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL FET RF 4V 4GHZ M04 تحقيق
PTAB182002FCV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4 تحقيق

Latest الأخبار