يشترى BLF4G20S-110B,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF4G20S-110B,112
- رقم القطعة:
- BLF4G20S-110B,112
- وصف:
- FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16949 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF4G20S-110B,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF4G20S-110B,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF4G20S-110B,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT502B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 100W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-502B |
| اسماء اخرى: | 568-2415 934058896112 BLF4G20S-110B BLF4G20S-110B-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BLF4G20S-110B,112 |
| ربح: | 13.5dB |
| تردد: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.5dB 100W SOT502B |
| وصف: | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B |
| التصويت الحالي: | 12A |
| الحالي - اختبار: | 700mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF4G20S-110B,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF4G10-160,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | تحقيق |
 |
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | تحقيق |
 |
BLF4G22LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | تحقيق |
 |
MRF7S15100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.51GHZ NI780 | تحقيق |
|
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | تحقيق |
|
BLF4G10LS-120,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ SOT502B | تحقيق |
|
BLF4G20LS-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | تحقيق |
 |
MRF5S21045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 | تحقيق |
|
BLF4G22S-100,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | تحقيق |
|
BLF4G10LS-160,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B | تحقيق |
 |
CGH27060F | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V 440193 | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog